Effect of LaNiO3 buffer layerson the structure and electrical properties of sol–gel-derived Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 thin films
文献类型：期刊论文
| 作者 | t. lin; x.j. meng; j.l. sun; j.h. ma; j.h. chu |
| 刊名 | Applied Physics A
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 81 |
| 公开日期 | 2011-11-08 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/2832]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | t. lin,x.j. meng,j.l. sun,et al. Effect of LaNiO3 buffer layerson the structure and electrical properties of sol–gel-derived Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 thin films[J]. Applied Physics A,2005,81. |
| APA | t. lin,x.j. meng,j.l. sun,j.h. ma,&j.h. chu.(2005).Effect of LaNiO3 buffer layerson the structure and electrical properties of sol–gel-derived Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 thin films.Applied Physics A,81. |
| MLA | t. lin,et al."Effect of LaNiO3 buffer layerson the structure and electrical properties of sol–gel-derived Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 thin films".Applied Physics A 81(2005). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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