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Si和GaAs衬底上的ZnTe、CdTe分子束外延材料的晶向倾角

文献类型:期刊论文

作者王元樟; 陈路; 巫艳; 吴俊; 于梅芳; 方维政; 何力
刊名人工晶体学报
出版日期2005
卷号34期号:4
公开日期2011-11-08
源URL[http://202.127.1.142/handle/181331/2952]  
专题上海技术物理研究所_上海技物所
推荐引用方式
GB/T 7714
王元樟,陈路,巫艳,等. Si和GaAs衬底上的ZnTe、CdTe分子束外延材料的晶向倾角[J]. 人工晶体学报,2005,34(4).
APA 王元樟.,陈路.,巫艳.,吴俊.,于梅芳.,...&何力.(2005).Si和GaAs衬底上的ZnTe、CdTe分子束外延材料的晶向倾角.人工晶体学报,34(4).
MLA 王元樟,et al."Si和GaAs衬底上的ZnTe、CdTe分子束外延材料的晶向倾角".人工晶体学报 34.4(2005).

入库方式: OAI收割

来源:上海技术物理研究所

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