HgCdTe的位错及其对器件性能影响的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王妮丽 |
| 刊名 | 红外
 |
| 出版日期 | 2005-05-10 |
| 卷号 | 26期号:5页码:5-12 |
| 关键词 | 位错 探测率 R_0a 少子寿命 退火 |
| 英文摘要 | 本文对位错的基本特点以及位错对HgCdTe器件性质的影响作了简洁的说明，给出了影响器件性能的主要因素，并从提高器件性能的角度出发，简要介绍了位错的消除。 |
| 公开日期 | 2011-11-14 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/3102]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王妮丽. HgCdTe的位错及其对器件性能影响的研究[J]. 红外,2005,26(5):5-12. |
| APA | 王妮丽.(2005).HgCdTe的位错及其对器件性能影响的研究.红外,26(5),5-12. |
| MLA | 王妮丽."HgCdTe的位错及其对器件性能影响的研究".红外 26.5(2005):5-12. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。