在Si和Ge衬底上用分子束外延生长HgCdTe
文献类型：期刊论文
| 作者 | 傅祥良 |
| 刊名 | 红外
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| 出版日期 | 2005-09-10 |
| 卷号 | 26期号:9页码:29-24 |
| 关键词 | 分子束外延 Si衬底 Ge衬底 Cdte Hgcdte 晶向 晶格失配 |
| 英文摘要 | 在当前大规模红外焦平面器件的研制中，高性能器件的制备需要高质量、大面积、组分均匀的碲镉汞材料。衬底和外延材料的晶格失配导致了大量的位错增殖，严重影响红外焦平面器件的工作性能。本文对各种衬底进行了比较，并对Si基和Ge基上的外延碲镉汞材料的生长工艺及性能进行了调研和评价。 |
| 公开日期 | 2011-11-14 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/3112]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 傅祥良. 在Si和Ge衬底上用分子束外延生长HgCdTe[J]. 红外,2005,26(9):29-24. |
| APA | 傅祥良.(2005).在Si和Ge衬底上用分子束外延生长HgCdTe.红外,26(9),29-24. |
| MLA | 傅祥良."在Si和Ge衬底上用分子束外延生长HgCdTe".红外 26.9(2005):29-24. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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