显微喇曼光谱用于对SOI材料局域应力表征
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王金斌 |
| 刊名 | 红外
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| 出版日期 | 2004-04-10 |
| 卷号 | 25期号:4页码:24-30 |
| 关键词 | 喇曼光谱 Soi 应力 |
| 英文摘要 | 本文从喇曼光谱原理、实验方法和实验手段上阐述显微喇曼在测试SOI材料局部应力中的应用，详细综述了显微喇曼光谱对各种不同SOI材料的喇曼分析。通常来说，局部内应力会引起喇曼峰的宽化以及峰位的移动，压应力会使喇曼峰向高频方向移动，而张应力却是向低频方向移动。详细分析喇曼峰的移动情况可以分析材料内部的应力分布情况。由于显微喇曼能提供小于1μm空间分辨率，同时分析时无需对材料进行破坏，因而是一种实用性很强的分析手段。 |
| 公开日期 | 2011-11-14 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/3147]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王金斌. 显微喇曼光谱用于对SOI材料局域应力表征[J]. 红外,2004,25(4):24-30. |
| APA | 王金斌.(2004).显微喇曼光谱用于对SOI材料局域应力表征.红外,25(4),24-30. |
| MLA | 王金斌."显微喇曼光谱用于对SOI材料局域应力表征".红外 25.4(2004):24-30. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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