Ⅲ族氮化物材料制备
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李雪 |
| 刊名 | 红外
 |
| 出版日期 | 2004-07-10 |
| 卷号 | 25期号:7页码:24-27 |
| 关键词 | 外延 gan材料 晶格匹配 |
| 英文摘要 | Ⅲ族氮化物材料是继Si和GaAs后又一类重要的半导体材料。本文主要介绍了用几种外延技术制备GaN材料的方法，并介绍了一种与GaN晶格匹配的新型衬底材料。 |
| 公开日期 | 2011-11-14 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/3161]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李雪. Ⅲ族氮化物材料制备[J]. 红外,2004,25(7):24-27. |
| APA | 李雪.(2004).Ⅲ族氮化物材料制备.红外,25(7),24-27. |
| MLA | 李雪."Ⅲ族氮化物材料制备".红外 25.7(2004):24-27. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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