Hydrogen-enhanced recrystallization in N+-implanted GaAs
文献类型：期刊论文
| 作者 | j.wang; z. li; w. xu; x. guo; w. cai; q.wang; x. chen; w. lu |
| 刊名 | Applied Physics A-materials Science & Processing
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 79期号:7 |
| WOS记录号 | WOS:000223464000033 |
| 公开日期 | 2011-11-30 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/3373]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | j.wang,z. li,w. xu,et al. Hydrogen-enhanced recrystallization in N+-implanted GaAs[J]. Applied Physics A-materials Science & Processing,2004,79(7). |
| APA | j.wang.,z. li.,w. xu.,x. guo.,w. cai.,...&w. lu.(2004).Hydrogen-enhanced recrystallization in N+-implanted GaAs.Applied Physics A-materials Science & Processing,79(7). |
| MLA | j.wang,et al."Hydrogen-enhanced recrystallization in N+-implanted GaAs".Applied Physics A-materials Science & Processing 79.7(2004). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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