MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李娜; 李宁; 陆卫; 窦红飞; 陈张海; 刘兴权; 沈学础 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 21期号:5 |
| 公开日期 | 2011-11-30 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/3507]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李娜,李宁,陆卫,等. MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较[J]. 半导体学报,2000,21(5). |
| APA | 李娜.,李宁.,陆卫.,窦红飞.,陈张海.,...&沈学础.(2000).MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较.半导体学报,21(5). |
| MLA | 李娜,et al."MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较".半导体学报 21.5(2000). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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