质子注人和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱能级结构的调整
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李娜; 李宁; 陆卫; 刘兴权; 窦红飞; 沈学础 |
| 刊名 | 量子电子学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 17期号:1 |
| 公开日期 | 2011-11-30 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/3521]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李娜,李宁,陆卫,等. 质子注人和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱能级结构的调整[J]. 量子电子学报,2000,17(1). |
| APA | 李娜,李宁,陆卫,刘兴权,窦红飞,&沈学础.(2000).质子注人和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱能级结构的调整.量子电子学报,17(1). |
| MLA | 李娜,et al."质子注人和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱能级结构的调整".量子电子学报 17.1(2000). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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