Enhanced fatigue property of PZT thin films using LaNiO3 thin layer as bottomelectrode
文献类型：期刊论文
| 作者 | X.J. Meng; J.L. Sun; J. Yu; G.S.Wang; S.L. Guo; J.H. Chu |
| 刊名 | Applied Physics A: Materials Science and Processing
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| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 73期号:3 |
| 公开日期 | 2011-11-30 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/3551]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | X.J. Meng,J.L. Sun,J. Yu,et al. Enhanced fatigue property of PZT thin films using LaNiO3 thin layer as bottomelectrode[J]. Applied Physics A: Materials Science and Processing,2001,73(3). |
| APA | X.J. Meng,J.L. Sun,J. Yu,G.S.Wang,S.L. Guo,&J.H. Chu.(2001).Enhanced fatigue property of PZT thin films using LaNiO3 thin layer as bottomelectrode.Applied Physics A: Materials Science and Processing,73(3). |
| MLA | X.J. Meng,et al."Enhanced fatigue property of PZT thin films using LaNiO3 thin layer as bottomelectrode".Applied Physics A: Materials Science and Processing 73.3(2001). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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