Arsenic implantation-induced intermixing effects on AlGaAsrGaAs single QW structures
文献类型：期刊论文
| 作者 | X.Q. Liu; Z.F. Li; X.S. Chen; W. Lu; S.C. Shen; H.H. Tan; S. Yuan; C. Jagadish |
| 刊名 | Physics Letters A
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 271期号:3 |
| 公开日期 | 2011-11-30 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/3591]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | X.Q. Liu,Z.F. Li,X.S. Chen,et al. Arsenic implantation-induced intermixing effects on AlGaAsrGaAs single QW structures[J]. Physics Letters A,2000,271(3). |
| APA | X.Q. Liu.,Z.F. Li.,X.S. Chen.,W. Lu.,S.C. Shen.,...&C. Jagadish.(2000).Arsenic implantation-induced intermixing effects on AlGaAsrGaAs single QW structures.Physics Letters A,271(3). |
| MLA | X.Q. Liu,et al."Arsenic implantation-induced intermixing effects on AlGaAsrGaAs single QW structures".Physics Letters A 271.3(2000). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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