离子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法
文献类型：专利
| 作者 | 1 叶振华 2黄建3 祝海彬4 尹文婷5林春 6 胡晓宁 7 丁瑞军 8 何力 |
| 发表日期 | 2011 |
| 专利号 | 200910198960.2 |
| 著作权人 | 上海技术物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 公开日期 | 2011-12-15 |
| 申请日期 | 2009 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/3605]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 1 叶振华 2黄建3 祝海彬4 尹文婷5林春 6 胡晓宁 7 丁瑞军 8 何力. 离子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法. 200910198960.2. 2011-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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