碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法
文献类型：专利
| 作者 | 1 叶振华 2 黄建 3杨建荣4 尹文婷5 邢雯 6 林春 7 陈兴国 8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力 |
| 发表日期 | 2011 |
| 专利号 | 200910198961.7 |
| 著作权人 | 上海技术物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 公开日期 | 2011-12-15 |
| 申请日期 | 2009 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/3607]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 1 叶振华 2 黄建 3杨建荣4 尹文婷5 邢雯 6 林春 7 陈兴国 8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力. 碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法. 200910198961.7. 2011-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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