一种集成等离子体氢浸镀层的碲镉汞中波光伏探测芯片
文献类型：专利
| 作者 | 1 叶振华 2胡伟达 3殷建军 4吴廷琪5 晨昱 6邢雯 7 林春8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力 |
| 发表日期 | 2011 |
| 专利号 | 201010234867.5 |
| 著作权人 | 上海技术物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 公开日期 | 2011-12-15 |
| 申请日期 | 2010 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/3645]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 1 叶振华 2胡伟达 3殷建军 4吴廷琪5 晨昱 6邢雯 7 林春8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力. 一种集成等离子体氢浸镀层的碲镉汞中波光伏探测芯片. 201010234867.5. 2011-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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