InGaAs_GaAs和InGaAs_AlGaAs应变层量子阱中的子带弛豫过程
文献类型：期刊论文
| 作者 | 金世荣; 罗晋生; 褚君浩; 徐仲英; 袁之良; 罗昌平; 许继宗; 郑宝真 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
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| 出版日期 | 1995 |
| 期号 | 3 |
| 公开日期 | 2012-06-04 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/3987]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金世荣,罗晋生,褚君浩,等. InGaAs_GaAs和InGaAs_AlGaAs应变层量子阱中的子带弛豫过程[J]. 红外与毫米波学报,1995(3). |
| APA | 金世荣.,罗晋生.,褚君浩.,徐仲英.,袁之良.,...&郑宝真.(1995).InGaAs_GaAs和InGaAs_AlGaAs应变层量子阱中的子带弛豫过程.红外与毫米波学报(3). |
| MLA | 金世荣,et al."InGaAs_GaAs和InGaAs_AlGaAs应变层量子阱中的子带弛豫过程".红外与毫米波学报 .3(1995). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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