HgCdTe红外双色探测器的基础研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 叶振华 |
| 答辩日期 | 2003-05-23 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 何力 |
| 关键词 | Hgcdte 双色探测器 异质结 |
| 学位专业 | 凝聚态物理 |
| 英文摘要 | 本文围绕集成HgCdTe红外双色探测器的一些基础问题展开了研究。 理论地分析了HgCdTe光伏探测器的暗电流机制。摸索了HgCdTe材料的深台面成形工艺。提出并实现了一种改进的深台面腐蚀方法。采用激光束诱导电流（LBIC）方法，检测了由等离子体干法刻蚀导致的材料反型的分布，获得无损伤的、图形复杂的等离子体刻蚀工艺条件。 开展了B+注入形成p-n结的一些研究。采用LBIC测试，得到了B+注入平面结的元面积扩大的精确数值，且其在退火处理后继续增大。结合温差电动势法和台阶仪测量了n区的纵向结深。二次离子质谱（SIMS）测试，获得了B原子纵向分布，此结果与TRIM模拟结果吻合得很好，也与测得的结深吻合。 制备、测试和分析了注入平面结和台面异质结HgCdTe焦平面器件。根据变温的I-V实验结果和暗电流机理，进行了拟合计算，得到了不同结构器件的性能制约因素。 最后，完成了集成短波/中波（SW/MW）的n-p-p-P-N型HgCdTe红外双色原理型器件的材料生长、器件制备及性能评价。原位生长了p-p-P-N型Hg1-xCdxTe多层异质结材料，通过B+注入、台面腐蚀、爬坡金属化、台面侧向钝化及互连等工艺，得到了80元的原理型HgCdTe红外双色探测器。在液氮温度下，两个波段的光二极管都具有较好的性能，同时，获得两个波段的光谱响应。 上述各方面的研究成果，对我国第一个HgCdTe红外双色原理型器件的制备具有关键性作用。 |
| 学科主题 | 红外探测材料与器件 |
| 公开日期 | 2012-06-25 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4039]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶振华. HgCdTe红外双色探测器的基础研究[D]. 中国科学院研究生院. 2003. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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