HgCdTe红外光伏器件噪声谱特性研究
文献类型:学位论文
作者 | 梁晋穗 |
答辩日期 | 2004-06-01 |
文献子类 | 硕士 |
授予单位 | 中国科学院研究生院 |
导师 | 李言谨 |
关键词 | Hgcdte红外光伏器件 噪声谱 1/f噪声 隧道电流 |
学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
英文摘要 | 噪声是表征红外探测器性能的一个重要参数,可以用来检测器件质量的优劣。HgCdTe红外光伏探测器低频区域的噪声主要是1/f噪声。为了测试器件的1/f噪声谱,搭建了低频噪声谱测试系统。通过分析测得的短波、中波以及长波HgCdTe红外光伏器件在一定偏压范围和温度范围下的1/f噪声电流与暗电流、反向偏压以及温度的关系,得到以下结果:一、测试的结果表明系统噪声远小于器件的噪声。器件的波长不同,施加的偏压不同,工作温度不同,器件的噪声谱有明显的变化。说明低频噪声频谱测试系统测到了探测器本身的噪声。偏压为零时,器件热噪声和散粒噪声的计算值和实测值非常接近,证明测试系统测试的结果可信。二、工作在室温的短波HgCdTe红外光伏探测器在零偏压下没有观测到明显的1/f噪声。中波和长波HgCdTe红外光伏探测器在零偏压下均有较大的1/f噪声。1/f噪声随反向偏压的增大而增大,与暗电流的关系符合经验公式。通过对不同偏压、温度下1/f噪声电流和暗电流成份的分析,认为1/f噪声与表面漏电流、产生-复合电流和隧道电流相关。反向偏压较大时长波光伏器件的直接隧道电流也比较大,此时1/f噪声电流的大小与直接隧道电流的大小成正比。三、通过对改进钝化工艺前后InGaAs短波红外光伏探测器以及钝化工艺不同的两个长波HgCdTe红外光伏探测器噪声谱的测试与分析,表明器件的1/f噪声与其制备工艺息息相关,改进工艺能够减少1/f噪声。 |
学科主题 | 红外探测材料与器件 |
公开日期 | 2012-06-25 |
源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4169] ![]() |
专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁晋穗. HgCdTe红外光伏器件噪声谱特性研究[D]. 中国科学院研究生院. 2004. |
入库方式: OAI收割
来源:上海技术物理研究所
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