碲镉汞光伏探测器模型研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 陈文桥 |
| 答辩日期 | 2004-04-26 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 李言谨 |
| 关键词 | Hgcdte 探测器 光电二极管 均匀性 Pspice软件 模型 |
| 学位专业 | 信号与信息处理 |
| 英文摘要 | 在微电子行业，做为促进该行业迅速发展的重要手段，模拟仿真已经发展的相当成熟。同样，随着光电子行业的迅速发展，模拟仿真技术也必将对它的发展起到巨大的推动作用。模型是电路模拟仿真的基础和关键，建模的发展速度必须提前于模拟仿真的发展速度。因此，建立碲镉汞二极管的模型是探测器模拟仿真的关键。 本文围绕集成红外碲镉汞光伏探测器的模型进行研究。由于PSPICE模型库中二极管模型的电流机构和碲镉汞的电流机构相差很大，因此不能做为碲镉汞光电二极管的模型使用，本论文必须建立碲镉汞光电二极管的模型。电流机构是建模的前提和基础。因为碲镉汞光电二极管的电流机构太复杂，所以HgCdTe光电二极管的电流机构不能直接用于建模。在兼顾电流方程精确性和遵守PSPICE电路方程规则的条件下，确定碲镉汞光电二极管用于建模的电流机构。结合本室的研制情况和PSPICE软件的建模方法。选定表格、函数和子电路三种方法建HgCdTe光伏探测器的模型。模拟曲线和实验测量的曲线相比较，检验模型的实用性。 利用建立的长、中波HgCdTe光伏二极管的模型，模拟接触电阻对长、中波运放积分型探测器性能的影响，从而得到接触电阻是影响探测器均匀性的主要因素之一。实际测量探测器和读出电路之间的接触电阻，其量级已经达到影响长波焦平面器件均匀性的程度。直接注入（DI）型电路和中波碲镉汞互连产生的主要问题是均匀性差。利用PSPCIE软件的蒙特卡罗分析和瞬态分析功能，模拟分析碲镉汞光电探测器的动态阻抗和MOS管域值电压的变化对中波DI型焦平面阵列性能的影响。模拟结果证实MOS管的域值电压和探测器的动态阻抗会影响焦平面的均匀性。 |
| 学科主题 | 红外探测材料与器件 |
| 公开日期 | 2012-06-25 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4179]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈文桥. 碲镉汞光伏探测器模型研究[D]. 中国科学院研究生院. 2004. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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