几种新型光电子材料的光谱研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 王金斌 |
| 答辩日期 | 2005-01-23 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 陆卫 |
| 关键词 | 光电子材料 红外光谱 拉曼光谱 光致发光光谱 Recursion方法 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 光电子材料是国民经济迅速发展的基石，对光电子材料的研究具有重要的学术和现实意义。由于具有对材料无接触和无损伤等优点，光谱方法是检测光电子材料的结构特征和性能的重要检测手段。本论文利用红外反射谱、拉曼散射等光谱组合的研究方法，对目前几种新型的III-V族和II-VI族光电子材料的结构和性能进行了检测和分析。具体研究内容如下： 1. 利用红外反射光谱研究了GaN1-xPx (0< x < 0.15) 三元合金的晶格振动特性，观察到了双模振动模式，即在P组分为0< x < 0.15范围内观察到了类GaN和类GaP的TO模。通过对红外反射光谱的计算和拟合，详细分析了类GaN和类GaP TO模明随着P组份的变化特征，并利用等位移模型进行了合理的分析。在拉曼光谱中观察到了准局域模、无序激活拉曼模和间隙模，通过Recursion方法分析了间隙模的起源和衰减情况。 2. 研究了InN薄膜的拉曼光谱，观察到新的拉曼模式，通过空间关联模型对InN中无序情况进行了分析，获得了一个描述无序情况的物理参量—关联长度L；通过实验和理论研究了InN拉曼光谱中由In空位在375 cm-1处产生的间隙模。 3. 用PL光谱和显微PL光谱测试了InN薄膜的性能，在0.97和1.7~2.1eV处分别观察到了发光峰，并提出0.97eV为InN带间跃迁发光，1.7~2.1eV归结为InN表面氧化物形成的发光。 4. 利用PL谱对在氧气氛中不同退火温度下制备的ZnO纳米颗粒的发光特性进行了研究，结果表明，紫外发光随退火温度提高而增强，而缺陷引起的绿带发光却很明显地减弱；但是当退火温度达到600 °C 或更高时，紫外发光迅速减弱。这是因为高温退火使得ZnO纳米颗粒中的氧挥发，从而增加了氧空位缺陷。另一方面，这些氧空位及其它缺陷使得ZnO的紫外发光急剧退化。 5. 分析了Zn1-xMnxO ( x<0.15 )ZnMnO纳米颗粒的拉曼光谱特征。利用空间关联模型对ZnO的E2模进行了计算，得到了E2模频率的红移、展宽和不对称性与Mn摩尔组分的对应关系。对N离子注入ZnO晶体的拉曼光谱研究表明由于ZnO中的N原子在ZnO的拉曼光谱中在275、504和644 cm-1处出现新的振动模，这些振动模的强度随N离子注入剂量的增高而线性增强。Recursion方法计算表明275cm-1处的间隙模是N结合到ZnO晶体中后由于Zn原子的振动引起。 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| 公开日期 | 2012-07-11 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4286]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王金斌. 几种新型光电子材料的光谱研究[D]. 中国科学院研究生院. 2005. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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