开关门阵列结构TDI电路的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 张松 |
| 答辩日期 | 2005-06-08 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 方家熊 |
| 关键词 | 焦平面 时间延迟积分(Tdi) Cmos 开关矩阵 缺陷像元去除 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 在以高分辨率和高扫描速率工作的扫描型焦平面系统中，时间延迟积分(TDI)技术是提高输出信号信噪比的一种十分有效的方法。在相同的积分时间下，一个积分级数为N的TDI焦平面信噪比，和一般的扫描型线列焦平面相比，可以提高根号n倍。 本文阐述了时间延迟积分的基本原理，对比和分析了各种不同结构的TDI读出电路，最终选定开关门阵列结构来实现本次设计。采用cadence设计软件对电路进行了仿真，确定各器件参数，设计了单元的9级TDI电路，并采用0.6μm DPDM CMOS工艺进行流片。在第一次设计电路的测试基础上，针对电路的均匀性和噪声进行了改进和扩展，设计了4单元的8级TDI电路，并将电路和GaN紫外探测芯片进行了互连测试。测试结果表明，电路可以完成时间延迟积分功能，输出摆幅为3.0V，非线性度小于2%，动态范围60dB，电荷处理能力为14.4pC，和GaN互连组成的焦平面探测率可以达到5×109 cmHz1/2/W，然而系统的噪声依然没有得到很好的控制，在3mV左右。在第二次设计中，还增加了缺陷像元去除模块，仿真和测试表明，缺陷像元去除实验模块可以对像元进行选择性去除。 |
| 学科主题 | 红外探测材料与器件 |
| 公开日期 | 2012-07-11 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4384]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张松. 开关门阵列结构TDI电路的研究[D]. 中国科学院研究生院. 2005. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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