半导体局域性能态光谱研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 余晨辉 |
| 答辩日期 | 2007-05-23 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 沈学础 |
| 关键词 | 高纯硅与锗 Inas/gaas表面量子点 光热电离光谱 压电调制反射光谱 类氢杂质 Zeeman分裂与移动 准朗道共振 新浅施主复合中心 负光电导 多重限制态 高斯线形拟合 量子点能级红移 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 本论文工作重点集中在半导体材料中局域性能态的光谱研究上，可概括为以下几点： 1.研究了高纯Cz-Si单晶样品中类氢浅杂质光热电离的磁光光谱。确定了样品最佳工作温度范围，测量了不同实验构型下浅施主P能级随磁场增加的分裂与移动，观察到能级间的反交叉现象与准朗道共振现象 2.在带隙光照射样品的情况下，测量了n型Si样品中补偿性杂质的光热电离光谱，研究了补偿性杂质负光热电离响应的物理机制，指出Darken模型不足，排除了是温度效应的可能 3.在高纯Cz-Si单晶样品中，发现了两种新的相互独立的类氢施主中心，计算出它们的电离能分别为38.32meV与40.09meV，指出它们可能起源于样品中位错环形式的微缺陷 4.研究了提拉法生长的高纯Ge样品中的类氢浅杂质的光热电离光谱。确定了样品的最佳工作温度范围，指出该样品中主要类氢杂质为硼与铝两种浅受主。此外，还对零磁场下杂质谱线发生分裂的两种解释进行了讨论 5.研究了液氮温度下的以GaAs(311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点样品的压电调制反射光谱。首次观察到了来自表面量子点层的多个清晰调制峰的光谱信号，并通过线形拟合，确定了对应限制态的能量。分析指出，四种主要因素导致了表面量子点中基态能级的较大红移 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| 公开日期 | 2012-07-11 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4484]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 余晨辉. 半导体局域性能态光谱研究[D]. 中国科学院研究生院. 2007. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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