热处理过程对HgCdTe红外探测器性能的影响
文献类型：学位论文
| 作者 | 孙柏蔚 |
| 答辩日期 | 2006-06-01 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 胡晓宁 |
| 关键词 | Hgcdte 光伏探测器 回熔 暗电流 离子注入后退火 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 随着半导体制造技术的发展，一些新技术和新工艺被用来开发新型的HgCdTe红外探测器。由于HgCdTe材料的特殊性，考察这些新工艺对器件性能的影响，是评价工艺是否可行的重要标尺之一。本文着眼于铟柱回熔焊技术，首先研究了回熔过程对器件IV性能的影响。结果发现，无论中短波还是长波器件经过铟柱回熔工艺之后，器件的IV性能均变差，反向漏电有不同程度的增加。为了研究回熔工艺造成的器件热失效机理，本文通过设计专门的流片试验及模型拟合计算。分析结果表明，器件经过铟柱回熔热过程后，在ZnS钝化层与HgCdTe的界面处产生了大量缺陷，导致缺陷辅助隧道电流和产生复合电流的增加，致使器件性能变差。因此，提高器件钝化层的热稳定性是采用铟柱回熔焊技术的先决条件。本文还研究了离子注入后退火、退火后表面处理等过程对器件性能的影响，发现一定条件的退火能减小缺陷浓度，从而提高器件动态阻抗，有效改善器件IV性能。实验结果还表明，离子注入后退火对LPE器件IV性能的改善要优于MBE器件。分析表明，这种现象是由两种不同衬底外延材料的位错密度差异所致。而退火后的表面处理，尽管对IV性能的影响不大，却能减小器件噪声，提高器件的黑体探测率。 |
| 学科主题 | 红外探测材料与器件 |
| 公开日期 | 2012-07-11 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4560]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙柏蔚. 热处理过程对HgCdTe红外探测器性能的影响[D]. 中国科学院研究生院. 2006. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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