HgCdTe红外探测器辐照效应研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 廖毅 |
| 答辩日期 | 2006-06-01 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 张勤耀 |
| 关键词 | Hgcdte红外探测器 辐照效应 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 红外探测器在空间中应用，需要有一定的抗辐照能力。为了提高器件的抗辐照能力，首先得了解其辐照效应。本课题就是据此选题的。结合实验条件，本课题主要做了薄膜材料HgCdTe线列红外光伏探测器的γ射线辐照和电子辐照实验研究。 γ射线辐照效应研究，得到了以下结论。 1：中波HgCdTe线列红外光伏探测器在经过~E7rad（Si）剂量的γ射线辐照后，性能发生了永久性衰退。器件的反向电流和噪声增大，黑体响应减小。且器件经受的辐照总剂量越大，性能衰退的幅度越大。 2：对于长波HgCdTe线列红外光伏探测器：在即时情况下，当器件辐照总剂量≧2E5rad(Si)时，反向漏电流明显增加，且器件的I-V特性曲线形状发生了变化；而在实时情况下，当辐照总剂量≧1E5rad(Si)时，反向漏电流就明显增加。 3：中波HgCdTe线列红外光伏探测器在实时和即时辐照实验后，辐照后反向电流没有增加反而减小了。猜测这是ZnS/HgCdTe界面的一种效应。 电子辐照效应研究，得到了以下结论。 1：中波HgCdTe线列红外光伏探测器在小剂量电子辐照后，器件暗电流增加，辐照剂量越大，增加幅度越大。当辐照剂量≧8.75E7rad(Si)后，出现器件击穿现象。而当电子辐照剂量≦1.75E7rad(Si)时，零偏压附近器件的I-V特性变化较小。因此，发生器件“击穿”的电子辐照剂量在1.75~8.75E7rad(Si)之间。另外，经过数据计算得到，器件的R0A也随着辐照剂量的增加而减小。 2：长波HgCdTe线列红外光伏探测器在电子辐照后，其暗电流出现与中波器件类似的变化。反向大偏压下，随辐照剂量的增加暗电流也增加。但当辐照剂量≧8.75E7rad(Si)后，长波器件没有出现明显的击穿现象。这可能是由于长波器件本身的暗电流比较大的原因，此时，器件I-V曲线未发生形状变化。数据计算器件的R0A值也随着辐照剂量的增加而减小。 3：对于短波HgCdTe线列红外光伏探测器，与中波情况类似，当辐照剂量≧8.75E7rad(Si)后，器件的I-V特性也发生了形状上的改变，即出现击穿现象。 |
| 学科主题 | 红外探测材料与器件 |
| 公开日期 | 2012-07-11 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4570]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廖毅. HgCdTe红外探测器辐照效应研究[D]. 中国科学院研究生院. 2006. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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