星载碲镉汞红外探测器的可靠性研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 刘大福 |
| 答辩日期 | 2006-06-08 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 龚海梅 |
| 关键词 | 红外探测器 碲镉汞 可靠性 键合 加速实验 电流机制 I-v |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 论文针对HgCdTe红外探测器几个方面的可靠性问题进行了研究。（1）对金丝球焊、楔焊和铟焊三种键合工艺的芯片进行了温度烘烤实验。采用前两种键合工艺的芯片其温度稳定性较好。由于In－Au系统容易形成金属间化合物，铟焊的芯片温度稳定性较差，采用这种工艺的芯片在室温存放或室温工作条件下，其可靠性会降低，同时对芯片的性能也有影响。（2）对侧面钝化的芯片中出现的侧面钝化不理想及金层电极腐蚀的因素进行了分析。刻蚀工艺造成侧面粗糙是侧面钝化不理想的原因，KOH氧化液在侧面流动性差也是一个重要的影响因素。电极金层的腐蚀可能是由于用于加固电极的胶发生变质引起的。（3）探测器的寿命越来越长，红外系统也对其提出了比较高的可靠性指标。在这种情况下对于小批量的碲镉汞探测器，常规寿命试验方法在实施起来比较困难。论文探索了HgCdTe探测器芯片的加速应力，并对失效的样品进行了分析。长波光导碲镉汞芯片在大电流、液氮温度作用下的主要失效模式是噪声增大、信号降低，而在室温大电流下的主要失效模式是噪声增大，同时信号有缓慢衰减的趋势。这都与芯片的表面状态有密切的关系。论文还研究了室温工作的HgCdTe光伏探测器芯片的温度烘烤加速，最高烘烤温度120℃。对芯片的I-V特性曲线进行了分析拟合，得到温度对芯片的主要作用是缺陷增多，漏电流增大。 |
| 学科主题 | 红外探测材料与器件 |
| 公开日期 | 2012-08-14 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4666]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘大福. 星载碲镉汞红外探测器的可靠性研究[D]. 中国科学院研究生院. 2006. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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