氮化镓基紫外探测器光电特性研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 陈俊 |
| 答辩日期 | 2007-05-24 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 李向阳 |
| 关键词 | Algan/gan异质结构 欧姆接触 器件制备 极化效应 Schottky |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 随着GaN基紫外材料的成熟，GaN基紫外探测器迅速发展，半导体紫外探测技术成为继红外和激光探测技术后发展起来的又一新型光电探测技术。 本文首先研究了快速热退火对欧姆接触形成的影响，得到Ti/Al/Ni/Au/n-Al0.45Ga0.55N较好的欧姆接触，比接触电阻为2.75×10-4Wcm2, 退火条件为5500C，60s。p层接触对p-i-n器件性能的影响，通过分析金属电极与p层形成的接触对器件的电流-电压特性和光谱响应，发现好的接触能够降低器件的开启电压，但对光谱响应的影响有限。 在正照射GaN p-i-n紫外探测器制备工艺的基础上，制备了不同Al组分AlGaN/GaN异质结紫外探测器，对于Al组分为0.1的器件，测试其在365 nm处的响应率为0.168 A/W,在365nm处的探测率D*为1.61×1013cmHz1/2/W。为了更好的了解AlGaN/GaN异质结中的极化效应，利用压电极化和自发极化的方法计算Al0.1Ga0.9N/GaN异质结界面电荷的密度。利用任意浓度分布方法计算得到了AlGaN/GaN异质结耗尽区有效掺杂浓度随深度的变化，发现异质结是非突变结的，与测试得到的的1/C2-V的非线性关系吻合。 国内首次成功制备了日盲AlGaN肖特基紫外探测器。材料采用MOCVD生长i-Al0.33Ga0.67N/AlN/ n-GaN的异质结构，肖特基接触和欧姆接触分别采用Au 和Ti/Al/Ni/Au。研究结果表明，Au与Al0.33Ga0.67N之间形成了较好的肖特基结，其势垒高度约为0.83eV，理想因子n为1.06。AlGaN肖特基紫外探测器在波长为250nm~290nm之间具有较为平滑的响应率，最大响应率在286nm处，为0.081A/W。 |
| 学科主题 | 红外探测材料与器件 |
| 公开日期 | 2012-08-14 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4760]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈俊. 氮化镓基紫外探测器光电特性研究[D]. 中国科学院研究生院. 2007. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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