磁控溅射制备(Ba,Sr)TiO3薄膜及其光电性质的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 高艳红 |
| 答辩日期 | 2008-05-30 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 褚君浩 |
| 关键词 | 铁电薄膜 (Ba Sr)Tio3薄膜 射频磁控溅射 Lanio3电极 上电极 过渡层 氮掺杂 介电性质 漏电性质 光学性质 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 钙钛矿型的(Ba,Sr)TiO3(BST)薄膜，在铁电材料中一直是研究的热点，本论文主要是利用射频磁控溅射法，在不同衬底上，制备BST薄膜的异质结构，并通过改进工艺，以改善薄膜的质量，提高BST薄膜的光电性质。这些实验结果将对BST薄膜实际应用提供重要的帮助。获得的结果概括如下：1. 通过对制备的薄膜微观结构、介电和电学性质的分析，确定了利用射频磁控溅射法，在LaNiO3/Si和Pt/TiO2/SiO2/Si的衬底上生长Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜所需的最佳工艺参数，例如沉积温度、Ar/O2气氛比例。2. 研究了Pt、氧化物电极LaNiO3(80nm)以及双层结构的Pt/LaNiO3(10nm)上电极对生长在LaNiO3/Si衬底上的BST薄膜电容器介电性质和漏电流密度的影响。实验证明Pt/LaNiO3(10nm)上电极在不增加漏电的情况下，可以提高薄膜的介电常数。3. 研究了不同厚度的LNO过渡层对生长在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上的BST薄膜微结构、介电和漏电性质的影响。获得了利用LNO厚度变化来控制BST薄膜生长的规律。另外，在不同厚度的SrTiO3过渡层上生长的BST薄膜表明，10nmSrTiO3上生长的BST薄膜具有提高的介电常数和降低的介电损耗和漏电流，同时，其品质因子达到极大值。4. 深入地研究了氮掺杂前后BST薄膜的表面化学组分、微观结构、光学性质、电子结构以及电学性质的变化情况。在BST薄膜中发现了类铁电驰豫行为；而氮掺杂后主要表现为Maxwell-Wagner驰豫，并对这些驰豫现象给予了合理的解释。 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| 公开日期 | 2012-08-22 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/4852]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高艳红. 磁控溅射制备(Ba,Sr)TiO3薄膜及其光电性质的研究[D]. 中国科学院研究生院. 2008. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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