InGaAs/InAlAs量子阱中二维电子气的自旋-轨道相互作用
文献类型：学位论文
| 作者 | 孙雷 |
| 答辩日期 | 2009-05-22 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 褚君浩 |
| 关键词 | Inalas/ingaas 自旋-轨道相互作用 反弱局域 拍频现象 Golub理论 二维电子气 磁输运 锁相放大 自动化 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 本文使用深低温磁输运测量系统，在深低温、强磁场下对InGaAs/InAlAs量子阱样品进行了磁输运测量，讨论了二维电子气系统中的自旋-轨道相互作用；开发了一种使用锁相放大技术的自动化磁输运测量系统，得到如下结果：1、研究了InGaAs/InAlAs量子阱中二维电子气的反弱局域效应和磁阻振荡。二维电子气系统中电子的运动处于弹道区，故用既适用于弹道区，又适用于扩散区的Golub理论去拟合各个温度下的实验数据。虽然Golub理论针对单子带系统而样品的第二子带被部分占据，但是由于子带间散射比较强烈，使不同子带发生耦合，同时第二子带电子浓度较低，所以对所有子带作等效单子带近似处理。各个温度下的拟合曲线与实验曲线在整个弱磁场范围都符合得很好；获得的自旋-轨道耦合常数与类似结构样品的文献报道值一致；二维电子气系统的6.08~meV高零场自旋分裂能主要是量子阱中的高电子浓度引起的；非弹性散射时间与温度关系与目前的理论定性相符。这些结果说明对所有子带作等效单子带近似处理是合适的。2、设计了一种使用锁相放大技术的自动化磁输运测量系统，相对与直流磁输运测量系统，能够用微小电流进行测量，减小大电流带来的不利影响，提高了测量精度；能够自动改变栅压和磁场，一次测量就给出栅压-磁场相图。该系统可用于精确测量低温强磁场下材料的电学输运相关的性质。 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| 公开日期 | 2012-08-22 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/5084]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙雷. InGaAs/InAlAs量子阱中二维电子气的自旋-轨道相互作用[D]. 中国科学院研究生院. 2009. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。