含铁多铁功能材料的制备和性能研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 白伟 |
| 答辩日期 | 2010-05-25 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 褚君浩 |
| 关键词 | 多铁材料 磁电耦合(Me)效应 磁介电(Md)效应铁磁特性 Bmp模型 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 集铁电、磁和铁弹性于一体的多铁材料研究是一个新的研究领域，蕴含着丰富的材料科学与物理研究课题、以及潜在的电子器件应用。因此，制备和研究具有多重性能的铁电铁磁材料成为当今材料和电子信息领域的研究热点。研究了Pb(Zr0.5Ti0.5)O3-Fe3O4(PZT-Fe3O4)和Pb(Zr0.5Ti0.5)O3-CoFe2O4(PZT-CFO)复合多铁厚膜，以及Pb(Zr0.5Ti0.5)1-xFexO3薄膜的物理性能。 1、利用Sol-Gel工艺制备了PZT-Fe3O4复合厚膜。铁电和铁磁性的共存表明PZT-Fe3O4复合膜的多铁行为。磁场诱导的铁电和介电变化表明PZT-Fe3O4复合膜的磁电耦合和磁介电耦合效应。不同外磁场方向下P-E回线的不同表明PZT-Fe3O4复合膜磁电耦合的各向异性。2、利用Sol-Gel工艺制备了不同PZT和CoFe2O4相比例的PZT-CFO复合厚膜。随着CFO含量的增加，复合膜的铁电矫顽场增大，而剩余极化显著降低。随着CFO含量的增加，复合膜的铁磁矫顽场先增大，然后变到一个稳定值；而磁饱和强度随着CFO含量的增加而增大。磁场诱导的介电变化和磁场诱导的铁电变化表明了PZT-CFO复合膜通过应力传递的铁电PZT和铁磁CFO之间磁电耦合(ME)效应。3、小剂量的铁掺杂对PZT薄膜的铁电、介电和介电可调性起到积极的作用，主要是提高了剩余极化增大，介电常数和介电可调性，尤其是1%铁掺杂。铁掺杂PZT薄膜样品除了具有室温的铁磁特性外，呈现出复杂的磁交换耦合作用。利用BMP模型很好的阐释了磁性起源和复杂的磁交换耦合行为。在8%铁掺杂的PZT薄膜中观察到了巨大的室温磁介电效应。 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| 公开日期 | 2012-09-11 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/5144]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 白伟. 含铁多铁功能材料的制备和性能研究[D]. 中国科学院研究生院. 2010. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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