碲镉汞光伏探测器光电性质研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 陈勇国 |
| 答辩日期 | 2012-05-22 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 陈效双 ; 胡伟达 |
| 关键词 | Hgcdte红外探测器 激光束诱导电流（lbic） 数值模拟 光敏元 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 碲镉汞（HgCdTe）红外探测器是中、远红外光电器件和红外焦平面阵列器件的主导器件。本文利用激光束诱导电流方法（LBIC）和数值模拟的方法，对具有n+-on-p结构的碲镉汞光伏探测器进行了细致的研究，取得了一些结果，主要创新点如下：1.针对 HgCdTe光伏探测器阵列光敏元宽化问题，用激光束诱导电流方法（LBIC）表征了Hg空位掺杂p-HgCdTe光伏探测器阵列的光电特性,发现HgCdTe光伏探测器在不同温度下光敏元宽化现象。建立了离子注入HgCdTe光伏器件pn结列阵单元结构模型来进行理论分析。基于载流子低温冻析效应，通过数值计算和数值模型分析讨论了温度导致的光敏元宽化问题。2．研究了温度和激光功率对HgCdTe光伏探测器的LBIC信号峰形变化的影响。构建了HgCdTe光伏器件pn结基本单元探究LBIC信号电流物理机理，建立了“漂移电流”和“扩散电流”竞争机制的理论模型。结合数值模拟分析，论证了LBIC信号的变化以及反向，是两种方向相反的“漂移电流”和“扩散电流”在不同温度和激光下综合竞争的结果。3. 研究了HgCdTe光伏器件pn结区属性随激光功率的变化，发现强激光下HgCdTe光伏器件LBIC信号出现两个周期性的信号。利用数值模型对结区存在小pn结结构进行了模拟计算研究，理论的LBIC结果与实验一致。结果表明离子注入成结会导致晶格损伤，诱导了pn结区表面部分区域形成反型层器件结构。 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| 公开日期 | 2012-09-11 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/5490]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈勇国. 碲镉汞光伏探测器光电性质研究[D]. 中国科学院研究生院. 2012. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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