Ge掺杂多晶硅铸锭实验研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 李帅 |
| 答辩日期 | 2012-05-25 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 高文秀 |
| 关键词 | 太阳能电池 多晶硅铸锭 锗 碳 氧 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 太阳能作为一种取之不竭的清洁能源是解决日益紧张的能源危机，替代化石能源的最好的选择。光伏发电即将太阳能直接转变为电能，近几年来得到了显著的发展和应用。我国在光伏发电领域起步虽然较晚，市场只占世界的8%左右，产能却占据了世界产能的50%以上，极大的发展不平衡。多晶硅太阳能电池是目前光伏发电的主流产品，多晶硅铸锭是太阳能电池生产中的关键环节，铸锭品质的好坏，直接关系到太阳能电池的产率和成本。本文通过对多晶硅铸锭过程中Ge的掺杂，掌握了Ge在多晶硅铸锭过程中的分布规律，并且得到了使硅锭内位错水平得到有效抑制的初始掺杂水平为200ppma。通过对硅锭内C、O含量的分析研究发现当硅锭内C、O的含量均较高时，适当增加的C浓度将对间隙O起到消耗和抑制的作用，并分析了产生作用的原因。通过金相的观察发现了多晶硅定向凝固过程中晶相的变化规律。多晶硅铸锭过程中采用等静压成型熔融石英坩埚铸锭成功，证明了等静压成型技术对于制作多晶硅铸锭用石英坩埚完全可用。本文的研究内容，将对多晶硅铸锭品质提高具有重要的意义。 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| 公开日期 | 2012-09-11 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/5494]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李帅. Ge掺杂多晶硅铸锭实验研究[D]. 中国科学院研究生院. 2012. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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