The plasmonic resonant absorption in GaN double-channel high electron mobility transistors
文献类型：期刊论文
| 作者 | L.Wang; X.S.Chen; W.D.Hu |
| 刊名 | Appl.Phys.Lett.
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 99期号:6 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| WOS记录号 | WOS:000293857700079 |
| 公开日期 | 2012-10-23 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/5725]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | L.Wang,X.S.Chen,W.D.Hu. The plasmonic resonant absorption in GaN double-channel high electron mobility transistors[J]. Appl.Phys.Lett.,2011,99(6). |
| APA | L.Wang,X.S.Chen,&W.D.Hu.(2011).The plasmonic resonant absorption in GaN double-channel high electron mobility transistors.Appl.Phys.Lett.,99(6). |
| MLA | L.Wang,et al."The plasmonic resonant absorption in GaN double-channel high electron mobility transistors".Appl.Phys.Lett. 99.6(2011). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。