Weak antilocalization effect in high-mobility two-dimensional electron gas in an inversion layer on p-type HgCdTe
文献类型：期刊论文
| 作者 | R. Yang; K.H.Gao; L.M.Wei |
| 刊名 | Appl. Phys. Lett.
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 99期号:4 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| WOS记录号 | WOS:000293475500031 |
| 公开日期 | 2012-10-23 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/5731]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | R. Yang,K.H.Gao,L.M.Wei. Weak antilocalization effect in high-mobility two-dimensional electron gas in an inversion layer on p-type HgCdTe[J]. Appl. Phys. Lett.,2011,99(4). |
| APA | R. Yang,K.H.Gao,&L.M.Wei.(2011).Weak antilocalization effect in high-mobility two-dimensional electron gas in an inversion layer on p-type HgCdTe.Appl. Phys. Lett.,99(4). |
| MLA | R. Yang,et al."Weak antilocalization effect in high-mobility two-dimensional electron gas in an inversion layer on p-type HgCdTe".Appl. Phys. Lett. 99.4(2011). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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