Weak field magnetoresistance of narrow-gap semiconductor InSb
文献类型：期刊论文
| 作者 | R. Yang; K.H.Gao; Y.H.Zhang |
| 刊名 | J.Appl.Phys.
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 109期号:6 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| WOS记录号 | WOS:000289149900056 |
| 公开日期 | 2012-10-23 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/5733]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | R. Yang,K.H.Gao,Y.H.Zhang. Weak field magnetoresistance of narrow-gap semiconductor InSb[J]. J.Appl.Phys.,2011,109(6). |
| APA | R. Yang,K.H.Gao,&Y.H.Zhang.(2011).Weak field magnetoresistance of narrow-gap semiconductor InSb.J.Appl.Phys.,109(6). |
| MLA | R. Yang,et al."Weak field magnetoresistance of narrow-gap semiconductor InSb".J.Appl.Phys. 109.6(2011). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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