Spin dependence of electron effective masses in InGaAs/InAlAs quantum well
文献类型：期刊论文
| 作者 | L.M.Wei; K.H.Gao; X.Z.Liu |
| 刊名 | Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 110期号:6 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| WOS记录号 | WOS:000295619300062 |
| 公开日期 | 2012-10-23 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/5751]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | L.M.Wei,K.H.Gao,X.Z.Liu. Spin dependence of electron effective masses in InGaAs/InAlAs quantum well[J]. Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects,2011,110(6). |
| APA | L.M.Wei,K.H.Gao,&X.Z.Liu.(2011).Spin dependence of electron effective masses in InGaAs/InAlAs quantum well.Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects,110(6). |
| MLA | L.M.Wei,et al."Spin dependence of electron effective masses in InGaAs/InAlAs quantum well".Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 110.6(2011). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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