Magnetotransport properties of (In,Zn)As/InAs p-n junctions
文献类型：期刊论文
| 作者 | K.H.Gao; Q.W.Wang; G.Yu |
| 刊名 | Appl.Phys.Lett.
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 98期号:14 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| WOS记录号 | WOS:000289297800045 |
| 公开日期 | 2012-10-23 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/5757]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | K.H.Gao,Q.W.Wang,G.Yu. Magnetotransport properties of (In,Zn)As/InAs p-n junctions[J]. Appl.Phys.Lett.,2011,98(14). |
| APA | K.H.Gao,Q.W.Wang,&G.Yu.(2011).Magnetotransport properties of (In,Zn)As/InAs p-n junctions.Appl.Phys.Lett.,98(14). |
| MLA | K.H.Gao,et al."Magnetotransport properties of (In,Zn)As/InAs p-n junctions".Appl.Phys.Lett. 98.14(2011). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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