Infrared photoluminescence of arsenic-doped HgCdTe in a wide temperature range of up to 290 K
文献类型：期刊论文
| 作者 | X.H.Zhang; J.Shao; L.Chen |
| 刊名 | J.Appl.Phys.
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 110期号:4 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| WOS记录号 | WOS:000294484300023 |
| 公开日期 | 2012-10-23 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/5761]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | X.H.Zhang,J.Shao,L.Chen. Infrared photoluminescence of arsenic-doped HgCdTe in a wide temperature range of up to 290 K[J]. J.Appl.Phys.,2011,110(4). |
| APA | X.H.Zhang,J.Shao,&L.Chen.(2011).Infrared photoluminescence of arsenic-doped HgCdTe in a wide temperature range of up to 290 K.J.Appl.Phys.,110(4). |
| MLA | X.H.Zhang,et al."Infrared photoluminescence of arsenic-doped HgCdTe in a wide temperature range of up to 290 K".J.Appl.Phys. 110.4(2011). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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