First-Principles Study of the Doping of InAs Nanowires: Role of Surface Dangling Bonds
文献类型：期刊论文
| 作者 | Haibo Shu; Xiaoshuang Chen; Zongling Ding |
| 刊名 | JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 115期号:30 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| WOS记录号 | WOS:000293192100001 |
| 公开日期 | 2012-10-23 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/5785]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Haibo Shu,Xiaoshuang Chen,Zongling Ding. First-Principles Study of the Doping of InAs Nanowires: Role of Surface Dangling Bonds[J]. JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C,2011,115(30). |
| APA | Haibo Shu,Xiaoshuang Chen,&Zongling Ding.(2011).First-Principles Study of the Doping of InAs Nanowires: Role of Surface Dangling Bonds.JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C,115(30). |
| MLA | Haibo Shu,et al."First-Principles Study of the Doping of InAs Nanowires: Role of Surface Dangling Bonds".JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C 115.30(2011). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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