Modeling of interface scattering of AlGaN/GaN/InGaN/GaN double-heterojunction HEMTs
文献类型：会议论文
| 作者 | Wang Lin; Hu Weida; Chen Xiaoshuang |
| 出版日期 | 2011 |
| 会议日期 | 2011-03-11 |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/5898]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang Lin,Hu Weida,Chen Xiaoshuang. Modeling of interface scattering of AlGaN/GaN/InGaN/GaN double-heterojunction HEMTs[C]. 见:. 2011-03-11. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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