Molecular beam epitaxy (MBE) in situ high-temperature annealing of HgCdTe
文献类型：期刊论文
| 作者 | He L; Wang SL; Yang JR; Yu MF; Wu Y; Chen XQ; Fang WZ; Qiao YM; Gui YS; Chu JH |
| 刊名 | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
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| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 201页码:524-529 |
| WOS记录号 | WOS:000080406000112 |
| 公开日期 | 2012-11-21 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/6002]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | He L,Wang SL,Yang JR,et al. Molecular beam epitaxy (MBE) in situ high-temperature annealing of HgCdTe[J]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,1999,201:524-529. |
| APA | He L.,Wang SL.,Yang JR.,Yu MF.,Wu Y.,...&Chu JH.(1999).Molecular beam epitaxy (MBE) in situ high-temperature annealing of HgCdTe.JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,201,524-529. |
| MLA | He L,et al."Molecular beam epitaxy (MBE) in situ high-temperature annealing of HgCdTe".JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 201(1999):524-529. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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