Electronic subbands in InxGa1-xAs/InyAl1-yAs pseudomorphic heterostructures grown by GSMBE
文献类型：期刊论文
| 作者 | Chen JX; Li AZ; Ren YC; Friedland K; Ploog K; Chen ZH; Hu CM |
| 刊名 | JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY
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| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 34页码:S32-S35 |
| WOS记录号 | WOS:000080134800010 |
| 公开日期 | 2012-11-21 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/6042]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen JX,Li AZ,Ren YC,et al. Electronic subbands in InxGa1-xAs/InyAl1-yAs pseudomorphic heterostructures grown by GSMBE[J]. JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY,1999,34:S32-S35. |
| APA | Chen JX.,Li AZ.,Ren YC.,Friedland K.,Ploog K.,...&Hu CM.(1999).Electronic subbands in InxGa1-xAs/InyAl1-yAs pseudomorphic heterostructures grown by GSMBE.JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY,34,S32-S35. |
| MLA | Chen JX,et al."Electronic subbands in InxGa1-xAs/InyAl1-yAs pseudomorphic heterostructures grown by GSMBE".JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 34(1999):S32-S35. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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