Transport properties of Hg0.80Mg0.20Te grown by molecular beam epitaxy
文献类型：期刊论文
| 作者 | Gui YS; Li B; Zheng GZ; Guo SL; Chu JH; Oehling S; Becker CR; Landwehr G |
| 刊名 | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 84期号:11页码:6170-6173 |
| WOS记录号 | WOS:000076930100050 |
| 公开日期 | 2012-11-21 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/6122]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Gui YS,Li B,Zheng GZ,et al. Transport properties of Hg0.80Mg0.20Te grown by molecular beam epitaxy[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,1998,84(11):6170-6173. |
| APA | Gui YS.,Li B.,Zheng GZ.,Guo SL.,Chu JH.,...&Landwehr G.(1998).Transport properties of Hg0.80Mg0.20Te grown by molecular beam epitaxy.JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,84(11),6170-6173. |
| MLA | Gui YS,et al."Transport properties of Hg0.80Mg0.20Te grown by molecular beam epitaxy".JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 84.11(1998):6170-6173. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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