MBE growth and characterization of high-quality GaInAsSb/AlGaAsSb strained multiple quantum well structures
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li AZ; Zhao Y; Zheng YL; Chen GT; Ru GP; Shen WZ; Zhong JQ |
| 刊名 | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 175页码:873-876 |
| WOS记录号 | WOS:A1997XX17900033 |
| 公开日期 | 2012-11-21 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/6418]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li AZ,Zhao Y,Zheng YL,et al. MBE growth and characterization of high-quality GaInAsSb/AlGaAsSb strained multiple quantum well structures[J]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,1997,175:873-876. |
| APA | Li AZ.,Zhao Y.,Zheng YL.,Chen GT.,Ru GP.,...&Zhong JQ.(1997).MBE growth and characterization of high-quality GaInAsSb/AlGaAsSb strained multiple quantum well structures.JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,175,873-876. |
| MLA | Li AZ,et al."MBE growth and characterization of high-quality GaInAsSb/AlGaAsSb strained multiple quantum well structures".JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 175(1997):873-876. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。