RADIAL-DISTRIBUTION OF LATTICE IMPERFECTIONS IN HG0.8CD0.2TE WAFERS
文献类型：期刊论文
| 作者 | SHI TS; ZHU NC; SHEN J; FANG JX |
| 刊名 | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 156期号:3页码:212-215 |
| WOS记录号 | WOS:A1995TF91300011 |
| 公开日期 | 2012-11-21 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/6672]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SHI TS,ZHU NC,SHEN J,et al. RADIAL-DISTRIBUTION OF LATTICE IMPERFECTIONS IN HG0.8CD0.2TE WAFERS[J]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,1995,156(3):212-215. |
| APA | SHI TS,ZHU NC,SHEN J,&FANG JX.(1995).RADIAL-DISTRIBUTION OF LATTICE IMPERFECTIONS IN HG0.8CD0.2TE WAFERS.JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,156(3),212-215. |
| MLA | SHI TS,et al."RADIAL-DISTRIBUTION OF LATTICE IMPERFECTIONS IN HG0.8CD0.2TE WAFERS".JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 156.3(1995):212-215. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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