一种双沟道MOS-HEMT器件及制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 1胡伟达 2 王晓东 3 陈效双 4 陆卫 |
| 发表日期 | 2012 |
| 专利号 | 201010234859.0 |
| 著作权人 | 上海技术物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 公开日期 | 2013-01-14 |
| 申请日期 | 2010 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/6847]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 1胡伟达 2 王晓东 3 陈效双 4 陆卫. 一种双沟道MOS-HEMT器件及制作方法. 201010234859.0. 2012-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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