一种碲镉汞器件埋结工艺
文献类型：专利
| 作者 | 1 张姗 2胡晓宁 3 樊华 4廖清君 5叶振华 6林春 7丁瑞军 8何力 |
| 发表日期 | 2016-04-15 |
| 专利号 | 201610236474.5 |
| 著作权人 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 公开日期 | 2017-06-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://202.127.2.71:8080/handle/181331/11675]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 作者单位 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 1 张姗 2胡晓宁 3 樊华 4廖清君 5叶振华 6林春 7丁瑞军 8何力. 一种碲镉汞器件埋结工艺. 201610236474.5. 2016-04-15. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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