一种低温生长富砷的镓砷锑薄膜的液相外延方法
文献类型：专利
| 作者 | 1 王洋 2 胡淑红 3 吕英飞4戴宁 |
| 发表日期 | 2015-06-02 |
| 专利号 | 201510295876.8 |
| 著作权人 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 公开日期 | 2017-09-22 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://202.127.2.71:8080/handle/181331/11697]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 作者单位 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 1 王洋 2 胡淑红 3 吕英飞4戴宁. 一种低温生长富砷的镓砷锑薄膜的液相外延方法. 201510295876.8. 2015-06-02. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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