全耗尽铁电侧栅单根纳米线近红外光电探测器及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 1胡伟达 2王建禄 3郑定山 4骆文锦 5王鹏 6陈效双 7陆卫 |
| 发表日期 | 2016-10-13 |
| 专利号 | 201610893709.8 |
| 著作权人 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 公开日期 | 2017-11-21 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://202.127.2.71:8080/handle/181331/11728]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 作者单位 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 1胡伟达 2王建禄 3郑定山 4骆文锦 5王鹏 6陈效双 7陆卫. 全耗尽铁电侧栅单根纳米线近红外光电探测器及制备方法. 201610893709.8. 2016-10-13. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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