HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法
文献类型：期刊论文
| 作者 | 翁彬; 周松敏; 王溪; 陈奕宇; 李浩; 林春 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
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| 出版日期 | 2017 |
| 期号 | 1页码:54-59 |
| 关键词 | HgCdTe 激光束诱导电流 I-V测试 B+离子注入 干法刻蚀 |
| DOI | 10.11972/j.issn.1001-9014.2017.01.011 |
| 英文摘要 | 报道了液氮温度下激光束诱导电流(LBIC)和I-V测试两种在HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法.通过LBIC和I-V测试,发现了p型HgCdTe材料中由B+离子注入成结和干法刻蚀成结对材料造成的损伤使得有效结区范围大于注入和刻蚀面积,并获得n区横向扩展.同时,通过对比,相互印证两种方法得到的测试结果一致. |
| 源URL | [http://202.127.2.71:8080/handle/181331/12118]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 作者单位 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 翁彬,周松敏,王溪,等. HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法[J]. 红外与毫米波学报,2017(1):54-59. |
| APA | 翁彬,周松敏,王溪,陈奕宇,李浩,&林春.(2017).HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法.红外与毫米波学报(1),54-59. |
| MLA | 翁彬,et al."HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法".红外与毫米波学报 .1(2017):54-59. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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