InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的实时γ辐照效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 靳川; 许佳佳; 黄爱波; 徐志成; 周易; 白治中; 王芳芳; 陈建新; 陈洪雷; 丁瑞军 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
 |
| 出版日期 | 2017 |
| 期号 | 6页码:688-693 |
| 关键词 | γ辐照 实时辐照效应 长波红外探测器 InAs/GaSb Ⅱ类超晶格 |
| DOI | 10.11972/j.issn.1001-9014.2017.06.009 |
| 英文摘要 | 研究了InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波探测器的γ辐照效应.在60Co源γ辐照下器件的电流—电压（I-V）特性并未随辐照剂量的增大而发生显著的变化,100 krad（Si）辐照剂量下的零偏阻抗相较辐照前的减小率仅为3.4%,表明该探测器具有很好的抗辐照性能.结合不同辐照剂量下的实时I-V特性曲线和辐照停止后器件电流随时间的演化情况,对辐照所带来的器件性能的损伤以及微观损伤机理进行了分析.发现零偏压和小反向偏压下,辐照开始后电流即有明显增大,辐照损伤以暂态的电离效应为主导,器件性能可以在很短时间内恢复.而大反向偏压下器件暗电流的主导机制为直接隧穿电流,辐照所引入位移效应的影响使得暗电流随辐照剂量增大而减小,损伤需通过退火效应缓慢恢复,弛豫时间明显长于电离效应损伤. |
| 源URL | [http://202.127.2.71:8080/handle/181331/12120]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 作者单位 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 靳川,许佳佳,黄爱波,等. InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的实时γ辐照效应[J]. 红外与毫米波学报,2017(6):688-693. |
| APA | 靳川.,许佳佳.,黄爱波.,徐志成.,周易.,...&何力.(2017).InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的实时γ辐照效应.红外与毫米波学报(6),688-693. |
| MLA | 靳川,et al."InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的实时γ辐照效应".红外与毫米波学报 .6(2017):688-693. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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