背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄波; 许金通; 王玲; 张燕; 李向阳 |
| 刊名 | 半导体光电
 |
| 出版日期 | 2017 |
| 期号 | 4页码:498-501 |
| 关键词 | InGaN p-i-n 紫外探测器 制备 数值模拟 |
| DOI | 10.16818/j.issn1001-5868.2017.04.007 |
| 英文摘要 | 研究了背照式InGaN p-i-n结构的紫外探测器的制备与数值模拟.通过低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长p-GaN/i-InGaN/n-GaN外延片,采用标准的Ⅲ-Ⅴ族器件制备工艺,成功制备出p-i-n结构的InGaN紫外探测器.探测器台面半径为30 μm,在-5V偏压下暗电流为-6.47×10 1 2 A,对应的电流密度为2.29×10-7 A/cm2.该探测器响应波段为360～380 nm,在371 nm处达到峰值响应率为0.21 A/W,对应的外量子效率为70％,内量子效率为78.4％.零偏压下,优值因子R0A=5.66×107 Ω·cm2,对应的探测率D* =2.34×1013 cm·Hz1/2·W-1.同时,利用Silvaco TCAD软件进行数值模拟,响应率曲线仿真值与实验值拟合较好 |
| 源URL | [http://202.127.2.71:8080/handle/181331/12123]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 作者单位 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄波,许金通,王玲,等. 背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟[J]. 半导体光电,2017(4):498-501. |
| APA | 黄波,许金通,王玲,张燕,&李向阳.(2017).背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟.半导体光电(4),498-501. |
| MLA | 黄波,et al."背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟".半导体光电 .4(2017):498-501. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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